Организация JEDEC (Ассоциация твердотельной электроники) недавно опубликовала спецификацию JESD270-4, официально утверждающую стандарт памяти High-Bandwidth Memory 4-го поколения (HBM4). Этот новый стандарт разрабатывался с целью повышения производительности в системах искусственного интеллекта и других высокопроизводительных вычислениях, и устанавливает новые требования к современным технологиям памяти.
Основные особенности HBM4, зафиксированные в стандарте, включают увеличение ширины интерфейса до 2048 бит, что вдвое больше по сравнению с предыдущим поколением HBM3. Скорость передачи данных теперь достигает 8 Гбит/с на контакт, обеспечивая впечатляющую суммарную пропускную способность до 2 ТБ/с. Кроме того, плотность чипов увеличилась до 24 Гбит или 32 Гбит на кристалл, а количество независимых каналов в стопке возросло до 32, что также значительно превосходит возможности HBM3.
При разработке HBM4 также были предусмотрены новые параметры рабочих напряжений. Так, VDDQ может варьироваться от 0,7 В до 0,9 В, а VDDC составляют 1,0 В или 1,05 В. Эти изменения позволят повысить энергоэффективность, адаптируя работу памяти под специфические задачи и требования оборудования. Новый стандарт также включает в себя улучшенную защиту памяти от атак row-hammer с помощью механизма Directed Refresh Management.
С выходом стандарта HBM4 ожидается, что производители чипсетов и графических процессоров начнут активно внедрять его в новые разработки. HBM4 сохраняет конструкцию с вертикально уложенными слоями DRAM, что способствует более эффективной обработке данных и повышает гибкость работы памяти.
В новом стандарте предусмотрена возможность использования стеков разной высоты — от 4 до 16 слоев, с емкостью от 24 до 32 гигабайтов. Такой подход открывает новые горизонты для создания мощных систем искусственного интеллекта и других передовых вычислительных решений. Это значительное обновление по сравнению с предыдущими версиями HBM представляется важным шагом вперед в области высокопроизводительных вычислений, и будет способствовать развитию технологий, требующих высокой пропускной способности памяти.